三星实现量产12nmDDR5内存：功能损耗骤减23％

三星电子正式宣布，采用12nm级工艺的DDR5 DRAM内存芯片已经开启了量产模式。这种新型内存芯片单颗容量可以达到16Gb(2GB)，最高速度可达7.2Gbps(等效频率7200MHz)，这相当于每秒钟可以处理两个30GB超高清电影。与之前的产品相比，12nm DDR5的功耗降低了多达23％，同时晶圆生产率提高了20％，这将对服务器和数据中心的节能减排产生明显的贡献。

值得一提的是，12nm级工艺的DDR5 DRAM内存芯片的开发基于一种新型高K材料，该材料可以提高电池电容并使数据信号出现明显的电位差，从而更易于准确地区分。此外，三星还在降低工作电压和噪声方面取得了新的成果。

另外，去年12月，三星完成了16Gb DDR5 DRAM与AMD处理器平台的兼容性评估，这为未来发布配备尖端内存技术的设备奠定了坚实的基础。这种新型内存将会让计算机运行速度更快、效率更高，为智能手机、笔记本电脑、平板电脑以及各种科技产品提供更加出色的性能。