CFMS2024 | 江波龙：突破存储模组经营魔咒-3月20日，2024中国闪存市场峰会（以下简称“CFMS2024”...
SK海力士正对其在中国的业务进行全面重组。这一决策的背后，反映出公司对地缘政治风险的高...
HBM3E的推出，标志着SK海力士在高性能存储器领域取得了重大突破，将现有DRAM技术推向了新的高...
什么是HBM3E内存？Rambus HBM3E/3内存控制器内核-Rambus HBM3E/3 内存控制器内核针对高带宽和低延迟进...
3D NAND的沟道通孔刻蚀工艺步骤-沟道通孔（Channel Hole）指的是从顶层到底层垂直于晶圆表面，穿...
3D NAND的主要制作流程-SiO2与SiNx交替镀膜，每层膜层在几十纳米左右。根据产品的不同，膜层的...
工业存储新势力，康盈半导体助力工业数智化升级-聚焦数智工业，共襄数智盛会。3月14日，...
四川长虹回应帮华为代工 HBM芯片备受关注 AI的爆发极大的推动了HBM芯片的需求；今日市场有传...
JEDEC发布：GDDR7 DRAM新规范，专供显卡与GPU使用-三星电子和SK海力士计划在今年上半年量产下一...
2D NAND和3D NAND都是非易失性存储技术（NVM Non-VolatileMemory），属于Memory（存储器）的一种。...
聚焦数智工业，共襄数智盛会。2024中国自动化+数字化产业年会于3月14日（周四），杭州远洋凯...
S7-1200 CPU 存储卡的应用分析-S7-1200 CPU 使用的存储卡为 SD 卡，存储卡中可以存储用户项目文件，...
3月14日消息，集成电路ATE供应商悦芯科技自主研发的高性能存储器芯片自动化生产测试系统-...
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三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低；在减产和获利优先政策的...
在巴塞罗那举办的2024年世界移动通信大会上，华为数据存储产品线总裁周跃峰博士详细介绍了...
大算力时代，关于内存墙的应对方法-以Transformer架构为基础的AI大模型导致了模型参数量激增，...
电子发烧友网报道（文/黄晶晶）据报道，三星电子在半导体制造领域再次迈出重要步伐，计...
存储芯片，是嵌入式系统芯片的概念在存储行业的具体应用。受到大模型时代的高算力、大存...
近日，得瑞领新D6000系列入选北京市新技术新产品名单，继获评国家“专精特新”小巨人后再次...