存储容量是普通光盘上万倍、普通硬盘上百倍的“超级光盘”，在中国科学院上海光学精密机...
索尼新突破：半导体激光器让数据存储迈向30TB时代-日本索尼正通过大规模生产激光二极管来显...
我国在光存储领域获重大突破 或将开启绿色海量光子存储新纪元 据新华社的报道，中国科学院...
电子发烧友网报道（文/刘静）近期，国内多家存储芯片上市公司发布2023年业绩预告。为了了解...
罗彻斯特电子为停产和已停产(EOL)元器件提供授权供货渠道和许可生产再制造解决方案，满足各...
存储器层次结构可以从图片中清晰的看出来，图片中共分为六级，越向上的层次，存储器速度...
浅谈存储器层次结构-通过多级存储器的设计，存储器层次结构能够在存储容量和访问速度之间...
NAND Flash的写入速度和擦除速度会受到多种因素的影响，包括Flash芯片的具体型号、制造工艺、...
NAND Flash和NOR Flash都是基于浮栅场效应晶体管（Floating Gate FET）的结构。它们都包含源极（Sour...
DDR5已经开始商用，但是有的产品还在使用DDR4，本文将分享一些DDR4的测试内容。DDR4和前代的...
与NAND Flash相比，NOR Flash具有较低的存储密度和较高的成本，但具有较快的读取速度、较低的读...
Flash存储器的写操作具有特殊性，它只能将数据位从1写成0，而不能从0写成1。因此，在对存储...
MRAM是以磁性隧道结（MTJ）储存单元为基础。MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层，和一...
ram在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果。随机存取存储器（ram）既可向...
每个SRAM单元的核心由两个CMOS反相器构成，这两个反相器相互连接，每个反相器的输出电位被用...
DRAM存储器为什么要刷新-DRAM（动态随机存取存储器）存储器主要通过电容来存储信息。这些电...
一文详解以太网MAC芯片与PHY芯片-MII即媒体独立接口,它是IEEE-802.3定义的以太网行业标准.媒体独...
FRAM内存耐久度的优势分析-FRAM的“耐力”定义为疲劳后的记忆状态保持能力，或在许多开关周...
简单介绍下PWM原理与设计-能够看到，当一个正弦波信号经过比较器出来以后，就成为了一个方...
NAND闪存作为如今各种电子设备中常见的非易失性存储器，存在于固态硬盘（SSD）、USB闪存驱动...