10.1.8 相变存储器（PCRAM）∈《集成电路产业全书
时间：2022-03-25 | 栏目：制造与封装 | 点击：次
Phase-change Random Access Memory
审稿人：北京大学 蔡一茂 方亦陈
https://www.pku.edu.cn
审稿人：北京大学 张兴
10.1 非传统新结构器件
第10章 集成电路基础研究与前沿技术发展
《集成电路产业全书》下册
时间：2022-03-25 | 栏目：制造与封装 | 点击：次
Phase-change Random Access Memory
审稿人：北京大学 蔡一茂 方亦陈
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审稿人：北京大学 张兴
10.1 非传统新结构器件
第10章 集成电路基础研究与前沿技术发展
《集成电路产业全书》下册