时间：2017-01-10 | 栏目：移动通信 | 点击：次
电子发烧友讯：IC Insights最新报告预测，DRAM与NAND快闪存储器等，未来五年年均复合增长率(CAGR)可达7.3%，产值将从去年的773亿美元扩增至1,099亿美元。
报告将半导体区分成逻辑、存储器，模拟与微组件(microcomponents)IC等四种类型，在五年的预测区间内，以存储器成长力道最为强劲，模拟IC以5.2%次之，微组件为4.4%，至于逻辑IC则仅有2.9%。
IC Insights指出智能手机等移动设备对低功耗存储器需求激增，是驱动DRAM与NAND快闪存储器成长的主要动能。除此之外，使用NAND快闪存储器的固态硬盘(SSD)在数据中心、笔记本电脑的应用也日趋吃重。
三星上周五公布2016年第四季财报，在Note 7自燃召回的状况下，营益竟然还能逆势跳增近80%，就是因为受惠于存储器价格大涨，将利润空间拉大。
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