MOSFET高频放大电路
时间：2008-08-14 | 栏目：通信网络 | 点击：次
单闸极MOS FET 前置放大器（１）ＶＨＦ高频放大电路以往都是以双极电晶体（Bipolar Transistor）为主流，但是现在大都以ＦＥＴ取代之。图２－１便是其代表性电路，２ＳＫ２４１（东芝）系ＶＨＦ用的ＦＥＴ，功率增益可达２８ｄＢ（＠１００ＭＨｚ），是最适於ＶＨＦ接收器的高频放大级使用的。由於闸极的动作点是零偏压（Zero Bias），所以电路的结构相当简单，电路的全部元件共有六个，配合表２－１所示之电感及电容就能适用於各种频率的高频放大电路。泄极电流为９ｍＡ，在电源电压为６～１２Ｖ之范围内，泄极电流都保持一定。
