时间：2024-08-08 | 栏目：存储技术 | 点击：次
近日，有关三星的8层HBM3E芯片已通过英伟达测试的报道引起了广泛关注。然而，三星电子迅速对此传闻进行了回应，明确表示该报道并不属实。
据三星电子官方表示，他们无法证实与客户相关的具体报道内容，并直接指出这一报道是不准确的。同时，三星电子的一位高管进一步透露，目前HBM3E芯片的质量测试工作仍在紧锣密鼓地进行中，与上月公司财报电话会议时所通报的进展并无任何变化。
此次澄清消除了市场对于三星HBM3E芯片进展的误解，也再次强调了公司在产品测试和质量保证方面的严谨态度。未来，随着测试的深入，相信会有更多关于这款先进芯片的具体信息被逐步披露。