当前位置:诺佳网 > 电子/半导体 > 电源和新能源 >

TPS51916 DDR2/3/3L/4 内存电源解决方案同步降压控制

时间:2025-04-28 | 栏目:电源和新能源 | 点击:

TPS51916 器件以最低的总成本和最小的空间为 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 内存系统提供完整的电源。它集成了同步降压稳压控制器 (VDDQ),具有 2A 灌电流和 2A 源跟踪 LDO (VTT) 和缓冲低噪声基准 (VTTREF)。
*附件:tps51916.pdf

该器件采用 D-CAP™ 模式与 300 kHz 或 400 kHz 频率耦合,以实现易用性和快速瞬态响应,或采用 D-CAP2™ 模式与更高的 500 kHz 或 670 kHz 频率耦合,以支持陶瓷输出电容器,而无需外部补偿电路。VTTREF 以 0.8% 的出色精度跟踪 VDDQ/2。VTT 提供 2A 灌电流和 2A 拉电流峰值电流能力,仅需要 10μF 的陶瓷电容。提供专用的 LDO 电源输入。

该器件还提供出色的电源性能。它支持灵活的电源状态控制,在 S3 中将 VTT 置于高阻态,并在 S4 或 S5 状态下对 VDDQ、VTT 和 VTTREF(软关断)放电。具有低侧 MOSFET R 的可编程 OCL DS(开) 还提供传感、OVP、UVP、UVLO 和热关断保护。

特性

参数
image.png

1. 产品概述

2. 功能描述

3. 保护功能

4. 应用与实施

5. 封装与订购信息

6. 文档与支持

7. 注意事项

您可能感兴趣的文章:

相关文章