TPS51200-Q1 汽车目录 灌电流/拉电流 DDR 端接稳压器
时间：2025-04-28 | 栏目：电源和新能源 | 点击：次
TPS51200-Q1 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 （DDR） 终端稳压器，专为空间受限的低输入电压、低成本、低噪声系统而设计。
TPS51200-Q1 器件保持快速瞬态响应，并且只需要 20 μF 的最小输出电容。TPS51200-Q1 器件支持远程感应功能以及 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。
*附件：tps51200-q1.pdf
此外，TPS51200-Q1 器件提供漏极开路 PGOOD 信号以监控输出调节，并提供可用于在 S3（挂起至 RAM）期间对 DDR 应用的 VTT 放电的 EN 信号。
TPS51200-Q1 器件采用热效率高的 VSON-10 封装，具有绿色和无铅两种等级。该器件的额定温度范围为 –40°C 至 125°C。
特性
- 适用于汽车应用
- AEC-Q100 测试指南，结果如下：
- 器件温度 1 级：-40°C 至 125°C 环境工作温度
- 器件 HBM ESD 分类 2 级
- 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
- 输入电压：支持 2.5V 轨和 3.3V 轨
- VLDOIN 电压范围：1.1 V 至 3.5 V
- 灌电流 / 拉电流终端稳压器包括压降补偿
- 对于存储器终端应用 （DDR），需要 20μF 的最小输出电容（通常为 3 × 10μF MLCC）
- PGOOD 监控输出调节
- EN 输入
- REFIN 输入允许直接或通过电阻分压器进行灵活的输入跟踪
- 遥感 （VOSNS）
- ±10mA 缓冲基准 （REFOUT）
- 内置软启动、UVLO 和 OCL
- 热关断
- 符合 DDR、DDR2 JEDEC 规范;支持 DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 应用
- VSON-10 封装，带外露导热垫
参数
1. 产品概述
- 名称：TPS51200-Q1
- 类型：DDR终止调节器
- 应用：汽车、笔记本、台式机、服务器、电信设备、LCD-TV、PDP-TV、复印机、打印机、机顶盒等
- 特点：支持2.5V和3.3V输入电压，具有VLDOIN电压范围1.1V至3.5V，包含下拉和上拉调节功能，具备远程感测功能，提供PGOOD输出和EN输入，内置软启动、UVLO和OCL保护，支持DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗DDR3和DDR4 VTT应用。
2. 主要规格
- 输入电压：2.5V至3.6V
- VLDOIN电压范围：1.1V至3.5V
- 输出电流：源/沉电流限制为3A/4.5A
- PGOOD阈值：±20% REFOUT
- REFOUT电压：0.6V至1.8V，可缓冲±10mA
- 封装：VSON-10，带裸露热焊盘
- 操作温度范围：-40°C至125°C
3. 功能特性
- 源/沉调节器：集成高性能LDO线性调节器，支持快速负载瞬态响应。
- 参考输入：REFIN引脚可通过外部电压分压器或直接连接VDDQ总线来设置。
- 参考输出：REFOUT引脚生成DDR VTT参考电压，支持源/沉负载。
- 软启动：通过电流钳实现VO引脚的软启动功能。
- 使能控制：EN引脚控制VO调节器的开关。
- 电源良好指示：PGOOD引脚在VO输出稳定时输出高电平。
- 过流保护：LDO具有恒定过流限制。
- 欠压锁定：监测VIN电压，低于阈值时关闭VO和REFOUT调节器。
- 热关断：监测结温，超过阈值时关闭VO和REFOUT调节器。
4. 应用指南
- 典型应用：用于DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗DDR3和DDR4 VTT电源轨。
- 设计考虑：包括VIN和VLDOIN电容选择、输出电容配置、输出容差考虑等。
- 设计示例：提供了多个设计示例，包括3.3V IN DDR2配置、3.3V IN DDR3配置、2.5V IN DDR3配置等。
5. 布局建议
- 输入电容：应尽可能靠近VIN引脚放置。
- 输出电容：应尽可能靠近VO引脚放置，总电容需大于20μF。
- VOSNS引脚：应连接到输出电容的正极，作为单独的迹线。
- 热焊盘：应连接到地平面，并通过多个过孔实现良好的热散逸。
6. 热考虑
- 功率耗散：根据源/沉电流和电压差计算。
- 热阻：从结到环境的热阻为52.7°C/W。
- 热管理：使用较大的热焊盘和增加过孔数量以降低热阻。
7. 封装与订购信息
- 封装类型：VSON-10，带裸露热焊盘
- 引脚数量：10
- 环保计划：符合RoHS标准，无铅
- 样品可用性：提供样品
8. 文档支持
- 相关文档：TPS51200-EVM用户指南
- 社区资源：TI E2E在线社区，提供技术支持和设计帮助
9. 注意事项
- 在处理静电敏感器件时，应采取适当的静电防护措施。
- 设计时应遵循布局和接地指南，以确保最佳性能。