成都华微32位RISC-V超低功耗MCU新品发布_诺佳网—

自8月12日成都华微公告发布全新32位RISC-V超低功耗MCU 后，现首次在elexcon深圳国际电子展上亮相该产品。

产品核心特点

超低功耗设计-大幅延长电池续航时间

高性能32位RISC-V内核-处理效率显著提升

丰富外设接口-支持多种应用场景

高可靠性-esd 7000V

指标特点 ·基于RISC-V开源指令集自主架构内核， 3级流水设计： ·存储空间：64 KB eFlash,4 KB SRAM; ·超低功耗设计：工作功耗120 uA/MHz, ·待机功耗<200nA,150uS唤醒； ·丰富外设单元：支持CAN2.0、PWM、 UART、I2C、SPl、Timer等通用接口； ·支持11通道ADC 12bits精度@1MSPS; ·支持DAC 12bits@1MSPS: ·内置电压参考和比较器； ·支持24 bit GP1O: ·支持LED8段码：。支持RTOS、鸿蒙Lite OS; ·支持2线CJTAG调试模式； ·ESD等级7000V(HBM); ·封装形式及大小：QFN28(4mmx4mm), QFN20(3mmx3mm);

技术特点超低功耗设计 支持低功耗电源管理，支持睡眠模式和旁路模式，支持快速唤醒；支持内建中断管理，支持软件中断、定时器中断和外设中断，支持中断优先级、向量中断处理模式和快速中断响应； ·内建调试系统，支持简化2线CJTAG或者4线JTAG接口；高可靠ESD等级；轻量化的封装形式；超低待机功耗，支持电池供电长续航；

自主创新 支持自主硬件架构+国产鸿蒙操作系统，国产自主底层硬件+国产自主底层软件双轮驱动； ·针对低功耗场景多层级低功耗设计：芯片系统架构，定制化内核架构设计，电路级低功耗设计，物理实现低功耗设计； ·高可靠ESD设计； ·高分辨率PWM设计；

封装选择

提供QFN28（4mm×4mm）和QFN20（3mm×3mm）两种轻量化封装选择，适用于对空间和功耗有严苛要求的应用领域。

应用场景

脑机接口

物联网终端

可穿戴设备

工业控制系统

智能家居产品

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成都华微32位RISC-V超低功耗MCU新品发布

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