简化的MOSFET等效电路，看Rds和Rg电阻损耗
时间：2017-10-31 | 栏目：模拟技术 | 点击：次
简化的MOSFET等效电路
MOSFET开通（turn on）过程
MOSFET损耗——Rds和Rg电阻损耗
Diode损耗——肖特基不计反向恢复损耗
L/C损耗
IC损耗
小结
综合上述分析可知，影响效率的因素主要有Rds（on），开关频率，有效值电流。
时间：2017-10-31 | 栏目：模拟技术 | 点击：次
简化的MOSFET等效电路
MOSFET开通（turn on）过程
MOSFET损耗——Rds和Rg电阻损耗
Diode损耗——肖特基不计反向恢复损耗
L/C损耗
IC损耗
小结
综合上述分析可知，影响效率的因素主要有Rds（on），开关频率，有效值电流。