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MEMS中的三种测温方式

时间:2025-07-16 13:58

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作者:admin

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导读:在集成MEMS芯片的环境温度测量领域,热阻、热电堆和PN结原理是三种主流技术。热阻是利用热敏电阻,如金属铂或注入硅的温度电阻系数恒定,即电阻随温度线性变化的特性测温,电阻...

文章来源:芯学知

原文作者:芯启未来

本文主要讲述MEMS中的三种测温方式。

在集成MEMS芯片的环境温度测量领域,热阻、热电堆和PN结原理是三种主流技术。热阻是利用热敏电阻,如金属铂或注入硅的温度电阻系数恒定,即电阻随温度线性变化的特性测温,电阻变化直接对应绝对温度,需恒流源供电。热电堆基于塞贝克效应,多对热电偶串联将温差转为电压,冷端温度需独立测量以推算目标温度,在MEMS芯片中采用多晶硅/铝热电偶堆叠于氮化硅悬膜,热端吸红外辐射,冷端锚定衬底。PN结测温是半导体PN结在恒定正向电流下,结压降与绝对温度成反比(约-2mV/℃),电压或数字码对应绝对温度,无需外部参考。

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高精度工业监控选铂电阻方式测温,优势是宽温域(-200~800℃)、长期稳定性好,但是功耗与成本敏感场景需谨慎,需注意自热效应导致的误差。适合电力设备或高温反应釜监测,例如化工反应釜内温度通常在-50~500℃,且需精确控制(如聚合反应需±0.5℃以内误差)。此时选择PT100热电阻,因其测温范围覆盖-200~850℃,精度达A级(0.15℃+0.002|t|),且抗振动、耐腐蚀(封装后),可长期稳定工作。

非接触测温应该选热电堆测温方案,优势是无需物理接触,但需要冷端集成方案,提升补偿实时性。适用于医疗额温枪、家电防烫(如电陶炉),例如高压电机表面测温,电机运行时带电,无法接触,且需实时监测是否过热(50~150℃)。热电堆传感器可安装在距离电机10~30cm处,通过红外辐射快速捕捉表面温度,避免触电风险。

能效优先的嵌入式系统选PN结测温,优势是超低功耗和数字接口(I²C/单总线),但是高温场景无法胜任。CPU温度监测,电脑CPU工作温度在40~100℃,需实时反馈温度以调节风扇转速。CPU内置的PN结传感器体积仅微米级,可直接贴附在核心芯片上,0.01秒内响应温度变化,成本极低(集成在芯片内无需额外成本)。锂电池内部测温,锂电池充放电时温度需控制在-20~60℃,防止过热起火。PN结传感器可嵌入电池电芯内部(体积小不影响结构),高灵敏度捕捉微小温度变化(如充放电时0.5℃的波动),配合BMS系统及时断电保护。

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