时间：2008-12-19 | 栏目：EDA/IC设计 | 点击：次
我国半导体分立器件的命名法
表9 国产半导体分立器件型号命名法
| 第一部分 | 第二部分 | 第三部分 | 第四部分 | 第五部分 | |||||
| 用数字表示器件电极的数目 | 用汉语拼音字母表示器件的材料和极性 | 用汉语拼音字母 表示器件的类型 | |||||||
| 符号 | 意义 | 符号 | 意义 | 符号 | 意义 | 符号 | 意义 | ||
| 2 3 | 二极管 三极管 | A B C D A B C D E | P型，锗材料 N型，硅材料 P型，硅材料 PNP型，锗材料 NPN型，锗材料 PNP型，硅材料 NPN型，硅材料 化合物材料 | P V W C Z L S N U K X G | 普通管 微波管 稳压管 参量管 整流管 整流堆 隧道管 阻尼管 光电器件 开关管 低频小功率管 （ ＜3MHz, PC<1W） 高频小功率管 （ ³3MHz PC<1W） | D A T Y B J CS BT FH PIN JG | 低频大功率管 （ ＜3MHz, PC³1W) 高频大功率管 （ ³3MHz PC³1W） 半导体闸流管 (可控硅整流器) 体效应器件 雪崩管 阶跃恢复管 场效应器件 半导体特殊器件 复合管 PIN型管 激光器件 | ||