时间：2008-12-19 | 栏目：EDA/IC设计 | 点击：次
国际电子联合会半导体器件命名法 表10 国际电子联合会半导体器件型号命名法
| 第一部分 | 第二部分 | 第三部分 | 第四部分 | ||||||
| 用字母表示使用的材料 | 用字母表示类型及主要特性 | 用数字或字母加数字表示登记号 | 用字母对同一型号者分档 | ||||||
| 符号 | 意义 | 符号 | 意义 | 符号 | 意义 | 符号 | 意义 | 符号 | 意义 |
| A | 锗材料 | A | 检波、开关和混频二极管 | M | 封闭磁路中的霍尔元件 | 三 位 数 字 | 通用半导体器件的登记序号（同一类型器件使用同一登记号） | A B C D E L | |
| B | 变容二极管 | P | 光敏元件 | ||||||
| B | 硅材料 | C | 低频小功率三极管 | Q | 发光器件 | ||||
| D | 低频大功率三极管 | R | 小功率可控硅 | ||||||
| C | 砷化镓 | E | 隧道二极管 | S | 小功率开关管 | ||||
| F | 高频小功率三极管 | T | 大功率可控硅 | 一 个 字 母 加 两 位 数 字 | 专用半导体器件的登记序号（同一类型器件使用同一登记号） | ||||
| D | 锑化铟 | G | 复合器件 及其它器件 | U | 大功率开关管 | ||||
| H | 磁敏二极管 | X | 倍增二极管 | ||||||
| R | 复合材料 | K | 开放磁路中的霍尔元件 | Y | 整流二极管 | ||||
| L | 高频大功率三极管 | Z | 稳压二极管即齐纳二极管 | ||||||