两个MOSFET串联在半桥时，电流的限制很关键
时间：2018-03-26 | 栏目：模拟技术 | 点击：次
警告:
当两个MOSFET串联在串联(半桥)时，请注意电流的限制，而这些限制并不总是在每个MOSFET都提供
潜在问题:
如果电流是不受限制的，那么损失就可以持续:
由低边的MOSFET短路到VBAT，
由高边的MOSFET短路到地
预防措施:
检查热保护是否支持任何类型的短路(地面和VBAT)
或使用另一种智能开关，它可以承受短路到地和VBAT。
时间：2018-03-26 | 栏目：模拟技术 | 点击：次
警告:
当两个MOSFET串联在串联(半桥)时，请注意电流的限制，而这些限制并不总是在每个MOSFET都提供
潜在问题:
如果电流是不受限制的，那么损失就可以持续:
由低边的MOSFET短路到VBAT，
由高边的MOSFET短路到地
预防措施:
检查热保护是否支持任何类型的短路(地面和VBAT)
或使用另一种智能开关，它可以承受短路到地和VBAT。