中微爱芯触摸芯片EMI提升指南

为助力客户提升对触摸相关方案的开发效率，优化用户的体验感。中微爱芯基于丰富的项目经验，针对触摸芯片EMI无法通过的情况提供了几种常用的解决方法，显著提升开发效率与终端用户体验。

1.关闭未使用的外设时钟（推荐）

AiP8F35XX芯片默认开启所有外设时钟，用户可通过关闭未使用的外设时钟来降低EMI辐射。

如：关闭WT时钟。

SystemKeyCode

SYSCR1 &= ~0X02; //关闭WT时钟

KeyCodeOff

2.增大触摸盘与芯片引脚的串联电阻

AiP8F35XX系列可以增大电阻阻值，可提高抗电磁干扰效果，理论上该阻值不超过10K。

3.降低系统时钟（推荐）

EMI尖端脉冲频率为系统时钟倍数，则通过降低系统时钟，将系统时钟从16M降低到8M、4M，可有效的降低电磁辐射。

4.芯片VDD和GND之间接滤波电感及预留高频滤波电容（推荐）

5.AC电源端口加上共模线圈

推荐20mH共模线圈可有效抑制20M以上的电磁辐射。该方法效果好，但是成本高。

6.芯片VCC端口加电容

在芯片的电源端口加100uf电解电容和100nf滤波电容，同时预留1nF滤高频电容，这些电容尽量靠近芯片电源引脚，其中电解电容建议采用高频低阻材质。

7.长线端口处理（推荐）

芯片引脚需连接长线与外部通信，如UART、I2C等，则建议在该长线的MCU引脚端口附近接101电容，可有效降低长线引起的天线效应。毛刺的频率和端口电容可参考如下：

电容的谐振频率

8.地线处理

芯片地线尽量走直线，少回路，防止产生涡流，双面板的地平面尽量多打过孔，有利于地势的稳定。

芯片回路太长

芯片地回路短

双面板地多加过孔

9.铺地操作

尖端脉冲是由于高频通信线引起的，则在高频通信线附近铺GND操作，可有效的抑制高频通信导致导致的电磁辐射。

I2C高频走线周围被GND包裹

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关于中微爱芯

无锡中微爱芯电子有限公司成立于2004年，是一家以集成电路设计、测试、方案开发、销售和服务为主的高新技术企业，是工信部认定的集成电路设计企业，是国家鼓励的重点集成电路设计企业。产品已形成MCU、LCD显示、LED显示、通用逻辑、信号链、马达&栅驱动、功率器件、电源、音响、遥控器、通信、配套等多个系列几千款产品，覆盖消费电子、网通产品、工业设备、新能源、汽车电子等多个领域。