自定义RISC V的bootloader-v3

在生成SoC时，会生成一个预定义bootloer .bin文件，用于指定soc的工程运行的地址，这包括在flash的存储地址 ，加载到外存中的运行地址及在外存中分配的存储空间的大小 。下面我们来讲解下怎样定义自己的bootloader

指向外部存储的Bootloader

1、导入软件自带的bootloader工程，在工程中选择bootloaderConfig.h文件。

2、修改参数。

USER_SOFTWARE_MEMORY：对应的是APP在外部存储器中的运行起始地址；USER_SOFTWARE_FLASH：对应APP在flash中的存储地址；USER_SOFTWARE_SIZE：APP对应片外存储的大小；

如下是一个设置案例，也可以根据自己的需要进行相应的修改：

把下面参数

#defineUSER_SOFTWARE_MEMORY 0x00001000#defineUSER_SOFTWARE_FLASH  0x380000#defineUSER_SOFTWARE_SIZE   0x01F000

修改成：

#defineUSER_SOFTWARE_MEMORY 0x00008000#defineUSER_SOFTWARE_FLASH  0x500000#defineUSER_SOFTWARE_SIZE   0x01F000

3、编译修改后的工程。接下来会有两种方法处理。

方法一：

4、重新生成存储器初始化文件。

（1）路径转到efinty安装路径的bin文件夹下，运行setup.bat，然后重新生成OCR初始文件。

${EFINITY_HOME}/bin/setup.bat

（2）再转到embedded_sw//tool路径下，并把bootloader.bin文件拷贝到该文件夹下，运行指令，打开浮点生成8个bin,f设置为1

 binGen.py -b bootloader.bin -s<size>-f<FPU>

（3）生成的初始化bin文件在tool/文件夹下；

5、将步骤4中的rom文件夹里的bin替换工程中的bin文件

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方法二：

4、勾选Cache/Memory下sapphire IP中Overwri the default SPI flash bootloader with the user application前面的对勾。并添加上第3步生成的bootloader.hex文件.

5、重新生成IP并编译 。

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6、重新编译工程。合成工程时注意指定的Flash地址.

这里有一个问题，修改flash的地址是多少合适呢？以60F100为例 ，内部合封了一个16Mb的flash，0x38000这个地址是超出范围的，那V的地址应该放上哪些呢，从上面的合并操作中可以看到soc.hex文件的Flash Length为0x00362c95,那memTest.bin的地址只要保证不重合，也就是大于0x00362c95即可。

另外值的强调的是逻辑工程生成的hex文件放在flash地址必须要从0x0开始。

指向内部存储的Bootloader

今天有客户在问如果打开了外部存储，但是希望程序从片上RAM启动应该怎么修改bootloader。只需要将bootloader工程的makefile里面的LDSCRIPT ?= ${BSP_PATH}/linker/bootloader.ld指向linker文件夹下的default_i.ld(对应钛金系列，default.ld对应trion系列)